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4-inch SGGG Large-Size Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) EPI-Grade Polished, Faraday Rotator for 1.6T/CPO Optical Modules, High-Capacity Magneto-Optical Film Epitaxy

Name: 4-inch SGGG Large-Size Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) EPI-Grade Polished, Faraday Rotator for 1.6T/CPO Optical Modules, High-Capacity Magneto-Optical Film Epitaxy
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-08-26-03
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-08-26-03
Condições de pagamento:	T/T, Western Union,

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Tamanho nominal:

4 polegadas (Φ101,6 mm)

Estrutura cristalina:

Cúbico, grupo espacial Ia3d

Entrelace constante:

12,497±0,003Å

Rugosidade superficial:

Ra ≤ 1 nm, pronto para EPI

Planicidade (Máx.-Mín.):

≤ 6 μm（80% da área efetiva central）

Variação da espessura total:

≤ 6 μm

Densidade de deslocação:

≤ 10 cm⁻²（80% área central）

Uniformidade da rede:

Wafer completo ≤ 0,003Å

Constante dielétrica:

ε ≈ 30

Destacar:

4-inch SGGG substrate for Faraday rotator

Gadolinium Gallium Garnet single crystal substrate

EPI-grade polished substrate for optical modules

Descrição do produto

4-inch SGGG Large-Size Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) EPI-Grade Polished, Faraday Rotator for 1.6T/CPO Optical Modules, High-Capacity Magneto-Optical Film Epitaxy The 4-inch SGGG large-size substrate is a high-end specification for next-generation high-speed optical communications (1.6T/CPO) and large-scale production lines. With a diameter of 101.6 mm and standard thickness of 800 ± 30 μm (or custom), it is based on large-size single crystal

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4-inch SGGG Large-Size Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) EPI-Grade Polished, Faraday Rotator for 1.6T/CPO Optical Modules, High-Capacity Magneto-Optical Film Epitaxy

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SCR-2026-08-26-03

Tamanho nominal:

4 polegadas (Φ101,6 mm)

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Cúbico, grupo espacial Ia3d

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12,497±0,003Å

Rugosidade superficial:

Ra ≤ 1 nm, pronto para EPI

Planicidade (Máx.-Mín.):

≤ 6 μm（80% da área efetiva central）

Variação da espessura total:

≤ 6 μm

Densidade de deslocação:

≤ 10 cm⁻²（80% área central）

Uniformidade da rede:

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ε ≈ 30

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