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Substrato SGGG de Grande Tamanho de 4 polegadas, Cristal Único de Granado de Gálio e Gálio, Polido de Grau EPI (111), Rotador de Faraday para Módulos Ópticos 1.6T/CPO, Epitaxia de Filme Magneto-Óptico de Alta Capacidade

Substrato SGGG de Grande Tamanho de 4 polegadas, Cristal Único de Granado de Gálio e Gálio, Polido de Grau EPI (111), Rotador de Faraday para Módulos Ópticos 1.6T/CPO, Epitaxia de Filme Magneto-Óptico de Alta Capacidade

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-08-26-03
Condições de pagamento:	T/T, Western Union,

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Tamanho nominal:

4 polegadas (Φ101,6 mm)

Estrutura cristalina:

Cúbico, grupo espacial Ia3d

Entrelace constante:

12,497±0,003Å

Rugosidade superficial:

Ra ≤ 1 nm, pronto para EPI

Planicidade (Máx.-Mín.):

≤ 6 μm（80% da área efetiva central）

Variação da espessura total:

≤ 6 μm

Densidade de deslocação:

≤ 10 cm⁻²（80% área central）

Uniformidade da rede:

Wafer completo ≤ 0,003Å

Constante dielétrica:

ε ≈ 30

Destacar:

Substrato SGGG de 4 polegadas para rotador de Faraday

Gálio Garnet Single Crystal Substrate do gadolínio

Substrato polido de grau EPI para módulos ópticos

Descrição do produto

Substrato de grande porte de 4 polegadas SGGG, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) Polido EPI-Grade, Rotador de Faraday para módulos ópticos 1.6T/CPO, Epitaxia de filme magneto-óptico de alta capacidade

O substrato de grande tamanho SGGG de 4 polegadas é uma especificação de ponta para comunicações ópticas de alta velocidade de próxima geração (1.6T/CPO) e linhas de produção em grande escala.6 mm e espessura padrão de 800 ± 30 μm (ou sob medida), baseia-se na tecnologia de crescimento de cristal único de grande porte.A produção de chips rotadores por wafer aumenta aproximadamente 75% em comparação com 3 polegadas, reduzindo significativamente o custo por chip.

O crescimento de cristais SGGG de grande porte é tecnicamente exigente, exigindo um rigoroso controle do campo térmico, pureza da matéria-prima e processos de recozimento.Através do crescimento Czochralski otimizado e do recozimento em várias etapas, este produto obtém uma qualidade cristalina de baixo esforço, baixa absorção e alta uniformidade.satisfaz os requisitos de produção em massa de grandes dimensões dos equipamentos de epitaxia de filme magneto-óptico de ponta.

Funções-chave

Substrato de alta capacidade para a era 1.6T/CPO:

Tamanho grande de 4 polegadas adapta-se à produção em massa de rotadores de módulos de alta velocidade de próxima geração, mais chips por wafer

Menor custo por chip:

~ 75% maior área efetiva do que 3 polegadas, dilui os custos de epitaxia, corte e inspeção

Epitaxia de filme magneto-óptico de ponta:

A alta uniformidade da rede garante a espessura da película BIG de grande área e a consistência do desempenho magneto-óptico

Material de base para substituição doméstica:

Rompe o monopólio estrangeiro dos substratos SGGG de grandes dimensões e apoia a independência da cadeia de fornecimento nacional de módulos ópticos

Etiquetas:

carcaça laalo3

únicos elementos de cristal

aluminato do lantânio

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≤ 6 μm（80% da área efetiva central）

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Densidade de deslocação:

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Constante dielétrica:

ε ≈ 30

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Menor custo por chip:

~ 75% maior área efetiva do que 3 polegadas, dilui os custos de epitaxia, corte e inspeção

Epitaxia de filme magneto-óptico de ponta:

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