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1-2-inch SGGG Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) Orientation, for YIG/BIG Magneto-Optical Film Epitaxy, Faraday Rotator R&D Sample

Name: 1-2-inch SGGG Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) Orientation, for YIG/BIG Magneto-Optical Film Epitaxy, Faraday Rotator R&D Sample
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-08-26-01
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-08-26-01
Condições de pagamento:	T/T, Western Union,

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Estrutura cristalina:

Cúbico, grupo espacial Ia3d

Entrelace constante:

12,497±0,003Å

Tamanho nominal:

1-2 polegada

Tolerância de diâmetro:

±0.2 milímetro

Grossura:

0,5 mm

polimento:

Lado único ou lado duplo

Densidade de deslocação:

≤ 10 cm⁻²

Método de crescimento:

Czochralski (CZ)

Rugosidade superficial:

Ra ≤ 1 nm（grau EPI）

Destacar:

Gadolinium Gallium Garnet single crystal substrate

SGGG substrate for YIG film epitaxy

Faraday rotator R&D crystal sample

Descrição do produto

1-2-inch SGGG Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) Orientation, for YIG/BIG Magneto-Optical Film Epitaxy, Faraday Rotator R&D Sample The 1-2-inch SGGG single crystal substrate is a small-size high-precision sample designed for research institutes, university laboratories, and corporate R&D departments. Grown by the Czochralski method and processed through orientation, cutting, grinding, and polishing, it is available in (111) and (100) orientations with

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1-2-inch SGGG Substrate, Gadolinium Gallium Garnet Single Crystal, (111) Orientation, for YIG/BIG Magneto-Optical Film Epitaxy, Faraday Rotator R&D Sample

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Número do modelo:	SCR-2026-08-26-01
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China

Marca:

Crystro

Número do modelo:

SCR-2026-08-26-01

Estrutura cristalina:

Cúbico, grupo espacial Ia3d

Entrelace constante:

12,497±0,003Å

Tamanho nominal:

1-2 polegada

Tolerância de diâmetro:

±0.2 milímetro

Grossura:

0,5 mm

polimento:

Lado único ou lado duplo

Densidade de deslocação:

≤ 10 cm⁻²

Método de crescimento:

Czochralski (CZ)

Rugosidade superficial:

Ra ≤ 1 nm（grau EPI）

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3-inch SGGG Wafer, Substituted Gadolinium Gallium Garnet, (111) Orientation, EPI Polished, Faraday Rotator Substrate for 400G/800G Optical Module Isolators

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