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Wafer SGGG de 3 polegadas, Gadolínio Gallio Granato Substituído, (111) Orientação, EPI Polido, Substrato do Rotador de Faraday para Isoladores de Módulo Óptico 400G/800G

Name: Wafer SGGG de 3 polegadas, Gadolínio Gallio Granato Substituído, (111) Orientação, EPI Polido, Substrato do Rotador de Faraday para Isoladores de Módulo Óptico 400G/800G
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-08-26-02
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-08-26-02
Condições de pagamento:	T/T, Western Union,

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Material:

Gd₃Ga₅O₁₂ substituído

Orientação:

(111) ± 0,1°

Flat primário:

[-110] ± 2°

Plano Secundário:

[-1-12] ± 2°

Tolerância de diâmetro:

76,20±0,3mm

Tamanho Nominal:

3 polegadas (Φ76,2 mm)

Entrelace constante:

12,497±0,003Å

Planicidade (Máx.-Mín.):

≤ 6 μm（80% da área efetiva central）

Destacar:

Rotador de Faraday de wafer SGGG de 3 polegadas

Substrato de Gadolínio Gallio Granato

Substrato de isolador óptico polido EPI

Descrição do produto

Wafer SGGG de 3 polegadas, Gadolínio Gallio Granato Substituído, (111) Orientação, EPI Polido, Substrato do Rotador de Faraday para Isoladores de Módulo Óptico 400G/800G

O substrato epitaxial SGGG de 3 polegadas é a especificação principal para a produção em massa de rotadores de Faraday na indústria de comunicações ópticas.espessura normal de 630 ± 30 μm, e (111) orientação, utiliza um cristal único SGGG de grande dimensão produzido internamente.e TTV ≤ 6 μm, prontos para o crescimento de LPE de filmes magneto-ópticos BIG/Bi:YIG.

O produto apresenta um plano primário ([-110]) e um plano secundário ([-1-12]) para alinhamento preciso no equipamento de epitaxia e processos subsequentes de corte em pedaços.Cada lote é submetido a uma inspecção completa dos parâmetros, incluindo a constante de rede, orientação, contagem de partículas da superfície e arco, garantindo uma elevada consistência.É a escolha econômica para a produção em massa de rotadores de Faraday para isoladores e circuladores de módulos ópticos 400G/800G.

Funções-chave

Epitaxia do LPE com filme BIG/YIG:

Constante de rede combinada com filmes de granito de ferro bismuto, garante uniformidade da camada epitaxial e desempenho magneto-óptico

Substrato de produção em massa de rotadores de Faraday:

3 polegadas é o tamanho principal atual para a produção de rotadores de comunicação óptica, produzindo dezenas a centenas de chips rotadores por wafer

Núcleo a montante dos isoladores/circuladores:

O chip rotador é o "coração" dos isoladores ópticos; o substrato SGGG é a sua base

Aplicações típicas

Isoladores de módulos ópticos 400G/800G

Produção em massa de chips de rotador de Faraday

BIG/Bi:YIG película magneto-óptica LPE

Circuladores e interruptores ópticos

Amplificador de fibra ASE supressão de ruído

Sensores magnéto-ópticos e transformadores de corrente

Etiquetas:

carcaça laalo3

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Orientação:

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Flat primário:

[-110] ± 2°

Plano Secundário:

[-1-12] ± 2°

Tolerância de diâmetro:

76,20±0,3mm

Tamanho Nominal:

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Entrelace constante:

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Planicidade (Máx.-Mín.):

≤ 6 μm（80% da área efetiva central）

Termos de pagamento:

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Constante de rede combinada com filmes de granito de ferro bismuto, garante uniformidade da camada epitaxial e desempenho magneto-óptico

Substrato de produção em massa de rotadores de Faraday:

3 polegadas é o tamanho principal atual para a produção de rotadores de comunicação óptica, produzindo dezenas a centenas de chips rotadores por wafer

Núcleo a montante dos isoladores/circuladores:

O chip rotador é o "coração" dos isoladores ópticos; o substrato SGGG é a sua base

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