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LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film

Name: LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-27-01
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-27-01
Tempo de entrega:	5-6 SEMANAS
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, Moneygram, Paypal

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Fórmula Molecular:

LaAlO3

Método de crescimento:

Czochralski

Estrutura Cística:

sistema de cristal hexagonal

Entrelace constante:

a=5,357A c=13,22A

Dureza de Mohs:

6,5

Densidade:

6,52g/cm3

Ponto de fusão:

2080°C

Constante dielétrica:

ε=21

Coeficiente de expansão térmica:

10x10-6/K

Perda de TanS:

~3x10-4@300K,~0,6x10-4@77K

Destacar:

LaAlO3 single crystal substrate

Lanthanum aluminate substrate for superconductors

High-temperature superconducting thin film substrate

Descrição do produto

LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film

Lanthanum aluminum oxide (LaAlO3) is a high-temperature superconducting single-crystal substrate material. It is an excellent substrate material for the epitaxial growth of high-temperature superconducting thin films and giant magnetic thin films. Its superior dielectric properties make it suitable for the fabrication of low-loss microwave amplifiers and dielectric resonant devices.

Size	Φ76.2mm
Thickness	0.5mm or customer customization
Polishing	Double or single throwing
Crystal optics	<100>,<110>,<111>
Surface Roughness Ra	Ra≤1nm
Crystalline precision	±0.2°
Positioning edge accuracy	2° (customizable within 1°)

Lanthanum aluminate (LaAlO3) single crystal is a kind of industrial, large-size HTS thin film substrate single crystal material. LaAlO3 crystal matches well with many kinds of perovskite structure materials, and is the substrate material for epitaxial growth of high temperature superconducting films and giant magnetoresistance films. At the same time, lanthanum aluminum crystals have a low dielectric constant and good microwave dielectric performance, so they are suitable for low-loss microwave amplifier devices and dielectric resonance applications.

Main characteristics:

Low dielectric loss

The lattice matches well

Small coefficient of thermal expansion

Good chemical stability

Good thermal stability

Typical applications:

High-temperature superconducting thin film extension substrate

Giant magnetic film outer lining

Microwave amplification and dielectric resonance

Etiquetas:

carcaça laalo3

únicos elementos de cristal

aluminato do lantânio

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a=5,357A c=13,22A

Dureza de Mohs:

6,5

Densidade:

6,52g/cm3

Ponto de fusão:

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Constante dielétrica:

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