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SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de substrato profissional especialmente aplicado ao crescimento epitaxial de filmes finos de granate de ferro bismuto

Name: SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de substrato profissional especialmente aplicado ao crescimento epitaxial de filmes finos de granate de ferro bismuto
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-26-02
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-26-02
Tempo de entrega:	5-6 SEMANAS
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, , Paypal

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Materiais:

SGGG

Fórmula Molecular:

Gd3GasO12 substituído

Estrutura cristalina:

Sistema de cristal cúbico

Entrelace constante:

a = 12,497 A

Métodos de cultivo:

Czochralski

Dureza de Mohs:

7,5

Densidade:

70,09 g/cm3

Ponto de fusão:

1730°C

Coeficiente de reflexão:

1,954 @ 1064nm

Destacar:

SGGG Substrato cristalino para crescimento epitaxial

Garnet de Gadolínio Galínio dopado com Ca-Mg-Zr

Material de película fina de granate de ferro bismuto

Descrição do produto

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de substrato profissional especialmente aplicado ao crescimento epitaxial de filmes finos de granate de ferro bismuto,Alta uniformidade óptica e estrutura de rede cristalina estável para dispositivos magneto-ópticos.

Os substratos de granato de gálio de gadolínio (GGG), um dos materiais desenvolvidos mais cedo para uso como substratos, são inadequados devido às suas constantes de rede extremamente pequenas.que utilizam cálcioOs iões de substituição, magnésio e zircônio, são mais adequados como substratos para filmes epitaxial de granate de ferro-bismuto.

Nome do indicador	Dimensões ou outras informações	Indicadores de referência
Dimensões	Tamanho nominal	3/4 de polegada
Diâmetro em mm	Um 3.	76.20±0.3
	4"	101.60±0.3
Espessura (mm)	Um 3.	630±30
	4"	800±30 ou sob medida
Cristalópticos	/	(111) ± 0,1°
Constante de rede	/	12.497±0.003A
Posicionar as bordas	Borda principal de posicionamento	[-110] ± 2°
	Subposição das bordas	[-1-12] ± 2°
Qualidade da superfície	Plano (grado)	Valor máximo valor mínimo dentro de 80% da área de cobertura do centro ≤ 6um
	TTV	Valor máximo - valor mínimo dentro de 80% do centro da área de cobertura ≤ 6um
	Dislocamentos (dislocamentos)	Dentro de uma área de cobertura de 80%, região central < 10/cm2
		Dentro de 10% da área central que cobre 80% da área total da superfície
Outros defeitos (Extrusão da superfície)		Dentro de 10% da área central que cobre 80% da área total da superfície

Características principais:

Baixa densidade de falhas.

Alta consistência nas constantes da rede.

Aplicações típicas:

O material de substrato para grandes filmes magnetoeléctricos epitaxial.

Refrigeração magnética.

Etiquetas:

Substrato de cristal único de Lantano Aluminato LaAlO3 para supercondução a altas temperaturas e filme fino de magnetoresistência gigante

Obtenha o melhor preço

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Substratos de cristal único

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de substrato profissional especialmente aplicado ao crescimento epitaxial de filmes finos de granate de ferro bismuto

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Número do modelo:	SCR-2026-26-02
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Marca:

Crystro

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SCR-2026-26-02

Materiais:

SGGG

Fórmula Molecular:

Gd3GasO12 substituído

Estrutura cristalina:

Sistema de cristal cúbico

Entrelace constante:

a = 12,497 A

Métodos de cultivo:

Czochralski

Dureza de Mohs:

7,5

Densidade:

70,09 g/cm3

Ponto de fusão:

1730°C

Coeficiente de reflexão:

1,954 @ 1064nm

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Garnet de Gadolínio Galínio dopado com Ca-Mg-Zr

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Dimensões	Tamanho nominal	3/4 de polegada
Diâmetro em mm	Um 3.	76.20±0.3
	4"	101.60±0.3
Espessura (mm)	Um 3.	630±30
	4"	800±30 ou sob medida
Cristalópticos	/	(111) ± 0,1°
Constante de rede	/	12.497±0.003A
Posicionar as bordas	Borda principal de posicionamento	[-110] ± 2°
	Subposição das bordas	[-1-12] ± 2°
Qualidade da superfície	Plano (grado)	Valor máximo valor mínimo dentro de 80% da área de cobertura do centro ≤ 6um
	TTV	Valor máximo - valor mínimo dentro de 80% do centro da área de cobertura ≤ 6um
	Dislocamentos (dislocamentos)	Dentro de uma área de cobertura de 80%, região central < 10/cm2
		Dentro de 10% da área central que cobre 80% da área total da superfície
Outros defeitos (Extrusão da superfície)		Dentro de 10% da área central que cobre 80% da área total da superfície

Características principais:

Baixa densidade de falhas.

Alta consistência nas constantes da rede.

Aplicações típicas:

O material de substrato para grandes filmes magnetoeléctricos epitaxial.

Refrigeração magnética.

Etiquetas:

Substrato de cristal único de Lantano Aluminato LaAlO3 para supercondução a altas temperaturas e filme fino de magnetoresistência gigante

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Cristais magnetoópticos

Substratos de cristal único

Cristais de Efeito Piezoelétrico

Isolador de Faraday

Cristais de cintilhação

Cristais a laser

Comutador Pockels Cell Q

Outros cristais únicos

Cristal de TGG

Cristal de TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristal de comutação

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Isolador de Faraday

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GGG Crystal

Wafer LaAlO3

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Garnet de Gadolínio Galínio dopado com Ca-Mg-Zr

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