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SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films

Name: SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-26-02
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	SCR-2026-26-02
Tempo de entrega:	5-6 SEMANAS
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, Moneygram, Paypal

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Materiais:

SGGG

Fórmula Molecular:

Gd3GasO12 substituído

Estrutura cristalina:

Sistema de cristal cúbico

Entrelace constante:

a = 12,497 A

Métodos de cultivo:

Czochralski

Dureza de Mohs:

7,5

Densidade:

70,09 g/cm3

Ponto de fusão:

1730°C

Coeficiente de reflexão:

1,954 @ 1064nm

Destacar:

SGGG Crystal substrate for epitaxial growth

Ca-Mg-Zr doped Gadolinium Gallium Garnet

Bismuth iron garnet thin film material

Descrição do produto

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films, high optical uniformity and stable crystal lattice structure for magneto-optical devices.

Gadolinium gallium garnet (GGG) substrates, one of the earliest developed materials for use as substrates, are unsuitable due to their extremely small lattice constants. As a result, SGGG crystals, which use calcium, magnesium, and zirconium as substitution ions, are more suitable as substrates for bismuth-iron garnet epitaxial films.

Indicator Name	Dimensions or Other Information	Reference Indicators
Dimensic	Nominal Size	3/4inch
Diameter (mm)	3"	76.20±0.3
	4"	101.60±0.3
Thickness (um)	3"	630±30
	4"	800±30 or custom
Crystaloptics	/	(111)±0.1°
Lattice constant	/	12.497±0.003A
Position the edges	Main positioning edge	[-110]±2°
	Sub-position the edges	[-1-12]±2°
Surface Quality	Flatness (degree)	Maximum value minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	TTV	Maximum value - minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	Dislocations (dislocations)	Within 80% coverage area, center region <10/cm2
		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area
Other Defects (Extrudedsurface)		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area

Key features:

Low fault density.

High consistency in lattice constants.

Typical applications:

The substrate material for BIG magnetoelectric epitaxial films.

Magnetic refrigeration.

Etiquetas:

LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film

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High Lattice Constant 12.383A Achieving Superior Performance with 0.5 Mm Thickness

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Substratos de cristal único

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films

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SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films

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Número do modelo:	SCR-2026-26-02
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China

Marca:

Crystro

Número do modelo:

SCR-2026-26-02

Materiais:

SGGG

Fórmula Molecular:

Gd3GasO12 substituído

Estrutura cristalina:

Sistema de cristal cúbico

Entrelace constante:

a = 12,497 A

Métodos de cultivo:

Czochralski

Dureza de Mohs:

7,5

Densidade:

70,09 g/cm3

Ponto de fusão:

1730°C

Coeficiente de reflexão:

1,954 @ 1064nm

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Dimensic	Nominal Size	3/4inch
Diameter (mm)	3"	76.20±0.3
	4"	101.60±0.3
Thickness (um)	3"	630±30
	4"	800±30 or custom
Crystaloptics	/	(111)±0.1°
Lattice constant	/	12.497±0.003A
Position the edges	Main positioning edge	[-110]±2°
	Sub-position the edges	[-1-12]±2°
Surface Quality	Flatness (degree)	Maximum value minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	TTV	Maximum value - minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	Dislocations (dislocations)	Within 80% coverage area, center region <10/cm2
		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area
Other Defects (Extrudedsurface)		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area

Key features:

Low fault density.

High consistency in lattice constants.

Typical applications:

The substrate material for BIG magnetoelectric epitaxial films.

Magnetic refrigeration.

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LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film

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Cristais magnetoópticos

Substratos de cristal único

Cristais de Efeito Piezoelétrico

Isolador de Faraday

Cristais de cintilhação

Cristais a laser

Comutador Pockels Cell Q

Outros cristais únicos

Cristal de TGG

Cristal de TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristal de comutação

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SGGG Crystal substrate for epitaxial growth

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