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Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Para casa Created with Pixso. produtos Created with Pixso.
Substratos de cristal único
Created with Pixso. 4 polegadas Diâmetro 1 mm SGGG Wafer Substituído Gadolinium Gallium Garnet

4 polegadas Diâmetro 1 mm SGGG Wafer Substituído Gadolinium Gallium Garnet

Nome da marca: Crystro
Número do modelo: CR210127-03
MOQ: 1pc
Tempo de entrega: 4-5weeks
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
SGS/ROHS
Materiais:
4 polegadas de diâmetro 1 mm de espessura GSGG Wafer
Planosidade:
<1>
Método do crescimento de cristal:
Czochralski
Tamanho máximo:
4 polegadas de diâmetro
Densidade:
70,09 g/cm3
Lugar de origem:
Anhui, China
Serviço pós-venda:
Apoio técnico em vídeo, apoio online
Relatório de teste::
Fornecido
Detalhes da embalagem:
Caixa limpa transparente
Habilidade da fonte:
5000 PCS POR MÊS
Destacar:

Wafer SGGG de 4 polegadas

,

Wafer SGGG de 1 mm

,

Granate de gálio de gadolínio substituído de 1 mm

Descrição do produto

4 polegadas de diâmetro 1 mm de espessura GSGG Wafer

 

Garnet de Gadolínio Galínio Substituído (SGGG) éO parâmetro de rede dos nossos cristais está bem controlado e o acabamento da superfície é da mais alta qualidade, permitindo uma epitaxia perfeita.

No equipamento de comunicação óptica, são necessários um grande número de isoladores ópticos de 1,3 e 1,5 micrões,e o componente central é uma película YIG ou BIG colocada no campo magnéticoDiferentes substratos de cristal único GGG tangenciais podem ser combinados com a rede de tais materiais magnéto-ópticos, garantindo assim o crescimento epitaxial bem sucedido de filmes YIG e BIG.O bom estado físicoA estabilidade mecânica e química do SGGG assegura também os requisitos do substrato no processo de perparação de filme.

 

Nome do produto: SGGG substrato de cristal único
Parâmetros técnicos: Formulário químico GGG substituído
Formulário de grelha 12.497A
Método de crescimento Czochralski
Dureza de Mohs 7.5
Ponto de fusão 1730° C
Purificação > 99,99%
Densidade 70,09 g/cm3
A rugosidade da superfície Opticamente polido para cima < 100 A
Polonês Polido de lado único ou duplo
Orientação < 111>+0.2°
Índice de refração 1.954 a 1064 nm
Especificações: Tolerância: +/- 2 graus
10x10x1.0mm; 20x20x1.0mm; 3" de diâmetro x 0.5mm; 4" de diâmetro x 0.5mm...
Pode ser personalizado orientação e tamanho.
Embalagem padrão: 1000 salas limpas, 100 sacos limpos ou embalagens de caixa única
Instruções de conservação: Uma vez que o metal é facilmente oxidado, por favor, armazenamento a vácuo, usar dentro de um mês.
 
 
As nossas vantagens:
 
Fábrica directa
Conjunto completo de máquinas, do corte ao revestimento e à inspecção
Equipa profissional de I&D com mais de 20 anos de experiência
Empresa certificada pela SGS
Sistema rigoroso de controlo da qualidade e pós-venda
Capacidade suficiente e produção flexível para as necessidades dos clientes
 
 

 Aplicação:

 

SGGG é usado como substrato para epitaxia líquida. É substrato dedicado para filme magneto-óptico.                              

 

Comparar GGG com SGGG:

 

Materiais GGG SGGG
Formulário químico Gd3Ga5O12 GGG substituído
Constante de grelha 12.383A 12.497A
Método de crescimento Czochralski Czochralski
Densidade 70,13 g/cm3 70,09 g/cm3
Dureza de Mohs 8 7.5
Ponto de fusão 1725°C 1730°C
Índice de refração 1.954 a 1064 nm 1.954 em 1064nm

4 polegadas Diâmetro 1 mm SGGG Wafer Substituído Gadolinium Gallium Garnet 0

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Substratos de cristal único
Created with Pixso. 4 polegadas Diâmetro 1 mm SGGG Wafer Substituído Gadolinium Gallium Garnet

4 polegadas Diâmetro 1 mm SGGG Wafer Substituído Gadolinium Gallium Garnet

Nome da marca: Crystro
Número do modelo: CR210127-03
MOQ: 1pc
Detalhes da embalagem: Caixa limpa transparente
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Marca:
Crystro
Certificação:
SGS/ROHS
Número do modelo:
CR210127-03
Materiais:
4 polegadas de diâmetro 1 mm de espessura GSGG Wafer
Planosidade:
<1>
Método do crescimento de cristal:
Czochralski
Tamanho máximo:
4 polegadas de diâmetro
Densidade:
70,09 g/cm3
Lugar de origem:
Anhui, China
Serviço pós-venda:
Apoio técnico em vídeo, apoio online
Relatório de teste::
Fornecido
Quantidade de ordem mínima:
1pc
Detalhes da embalagem:
Caixa limpa transparente
Tempo de entrega:
4-5weeks
Termos de pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Habilidade da fonte:
5000 PCS POR MÊS
Destacar:

Wafer SGGG de 4 polegadas

,

Wafer SGGG de 1 mm

,

Granate de gálio de gadolínio substituído de 1 mm

Descrição do produto

4 polegadas de diâmetro 1 mm de espessura GSGG Wafer

 

Garnet de Gadolínio Galínio Substituído (SGGG) éO parâmetro de rede dos nossos cristais está bem controlado e o acabamento da superfície é da mais alta qualidade, permitindo uma epitaxia perfeita.

No equipamento de comunicação óptica, são necessários um grande número de isoladores ópticos de 1,3 e 1,5 micrões,e o componente central é uma película YIG ou BIG colocada no campo magnéticoDiferentes substratos de cristal único GGG tangenciais podem ser combinados com a rede de tais materiais magnéto-ópticos, garantindo assim o crescimento epitaxial bem sucedido de filmes YIG e BIG.O bom estado físicoA estabilidade mecânica e química do SGGG assegura também os requisitos do substrato no processo de perparação de filme.

 

Nome do produto: SGGG substrato de cristal único
Parâmetros técnicos: Formulário químico GGG substituído
Formulário de grelha 12.497A
Método de crescimento Czochralski
Dureza de Mohs 7.5
Ponto de fusão 1730° C
Purificação > 99,99%
Densidade 70,09 g/cm3
A rugosidade da superfície Opticamente polido para cima < 100 A
Polonês Polido de lado único ou duplo
Orientação < 111>+0.2°
Índice de refração 1.954 a 1064 nm
Especificações: Tolerância: +/- 2 graus
10x10x1.0mm; 20x20x1.0mm; 3" de diâmetro x 0.5mm; 4" de diâmetro x 0.5mm...
Pode ser personalizado orientação e tamanho.
Embalagem padrão: 1000 salas limpas, 100 sacos limpos ou embalagens de caixa única
Instruções de conservação: Uma vez que o metal é facilmente oxidado, por favor, armazenamento a vácuo, usar dentro de um mês.
 
 
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SGGG é usado como substrato para epitaxia líquida. É substrato dedicado para filme magneto-óptico.                              

 

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Materiais GGG SGGG
Formulário químico Gd3Ga5O12 GGG substituído
Constante de grelha 12.383A 12.497A
Método de crescimento Czochralski Czochralski
Densidade 70,13 g/cm3 70,09 g/cm3
Dureza de Mohs 8 7.5
Ponto de fusão 1725°C 1730°C
Índice de refração 1.954 a 1064 nm 1.954 em 1064nm

4 polegadas Diâmetro 1 mm SGGG Wafer Substituído Gadolinium Gallium Garnet 0