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Série LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Material NLO ativo

Série LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Material NLO ativo

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	CR201209-03
MOQ:	1pc
preço:	USD 500-1500/pc
Tempo de entrega:	4-5 semanas
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Certificação:

SGS/COC/ROHS

Materiais:

Comprimento de onda:

242-3200nm

Distorção transmitida do Wavefront:

Ponto inicial de dano:

>900MW/cm2 (@1064nm, 10ns)

Destacar:

modulador da pilha dos pockels

interruptor da pilha q do pockel

Material ativo do interruptor NLO de Q

Descrição do produto

Célula Pockels de Q-switch eletró-óptico (EO) da série LGS

Um novo tipo deEO Q-switché concebido por utilização de um- O quê?₃- Não.₅SiQ₁₄(LGS)Crystal.LGSO cristal é um tipo de material NLO ópticamente ativo com um limiar de danos muito elevado (cerca de 9 vezes o da LN), excelente coeficiente E-O, estabilidade a altas temperaturas (melhor que o quartzo),o Q-switch é baseado na consideração de que o ângulo de rotação total do plano de polarização é zeroConsiderando que a onda polarizada se propaga através da célula de Pockels para frente e para trás, com a rotação do plano de polarização e o efeito eletro-óptico existentes simultaneamente,Portanto, é amplamente utilizado em componentes E-O, como o modulador E-O, Q-switch, etc.

OSérie LGS (LG-EO-Q)O Q-switch (Pockels Cell) é um dispositivo eletro-óptico prático que pode ser usado em lasers de energia de saída média para substituir parcialmente o laser de saída média.DKDPeLiNbO₃Comutadores de série Q.

Propriedades básicas:

Fórmula química	La3Ga5SiQ14
Estrutura cristalina	Trigonal; a=b=7.453Å,c=6.293Å
Densidade	50,75 g/cm3
Ponto de fusão	1470 °C
Intervalo de transparência	242 - 3200 nm
Índice de refração	1.89
Coeficientes eletro-ópticos	G41=1,8 pm/V, G11=2,3 pm/V
Resistividade	10,7 × 1010 Ω·cm
Deliquescência	- Não, não.
Coeficientes de expansão térmica	α11=5,15×10-6 /K (eixo Z); α33=3,65×10-6 /K (eixo Z)

Características:

Q-switch baseado em LGS (célula de Pockels);
Para comprimentos de onda até 3,2 μm;
Distorção da frente de onda transmitida: < l/4;
Limite de danos: > 900 MW/cm²(@1064nm, 10ns, típico, não garantido);
A LGS disponível para sistemas de média potência, ocorre parcialmente emDKDPeLiNbO₃Comutadores de série Q.

Etiquetas:

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Comutador Pockels Cell Q

Série LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Material NLO ativo

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Série LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Material NLO ativo

Nome da marca:	Crystro
Número do modelo:	CR201209-03
MOQ:	1pc
preço:	USD 500-1500/pc
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Marca:

Crystro

Certificação:

SGS/COC/ROHS

Número do modelo:

CR201209-03

Materiais:

LGS

Comprimento de onda:

242-3200nm

Distorção transmitida do Wavefront:

Ponto inicial de dano:

>900MW/cm2 (@1064nm, 10ns)

Quantidade de ordem mínima:

1pc

Preço:

USD 500-1500/pc

Tempo de entrega:

4-5 semanas

Termos de pagamento:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Destacar:

modulador da pilha dos pockels

interruptor da pilha q do pockel

Material ativo do interruptor NLO de Q

Descrição do produto

Célula Pockels de Q-switch eletró-óptico (EO) da série LGS

Propriedades básicas:

Fórmula química	La3Ga5SiQ14
Estrutura cristalina	Trigonal; a=b=7.453Å,c=6.293Å
Densidade	50,75 g/cm3
Ponto de fusão	1470 °C
Intervalo de transparência	242 - 3200 nm
Índice de refração	1.89
Coeficientes eletro-ópticos	G41=1,8 pm/V, G11=2,3 pm/V
Resistividade	10,7 × 1010 Ω·cm
Deliquescência	- Não, não.
Coeficientes de expansão térmica	α11=5,15×10-6 /K (eixo Z); α33=3,65×10-6 /K (eixo Z)

Características:

Q-switch baseado em LGS (célula de Pockels);
Para comprimentos de onda até 3,2 μm;
Distorção da frente de onda transmitida: < l/4;
Limite de danos: > 900 MW/cm²(@1064nm, 10ns, típico, não garantido);
A LGS disponível para sistemas de média potência, ocorre parcialmente emDKDPeLiNbO₃Comutadores de série Q.

Etiquetas:

Cristais magnetoópticos

Substratos de cristal único

Cristais de Efeito Piezoelétrico

Isolador de Faraday

Cristais de cintilhação

Cristais a laser

Comutador Pockels Cell Q

Outros cristais únicos

Cristal de TGG

Cristal de TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristal de comutação

Cristais magnetoópticos

Substratos de cristal único

Cristais de Efeito Piezoelétrico

Isolador de Faraday

Cristais de cintilhação

Cristais a laser

Comutador Pockels Cell Q

Outros cristais únicos

Cristal de TGG

Cristal de TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristal de comutação

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Série LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Material NLO ativo

modulador da pilha dos pockels

interruptor da pilha q do pockel

Material ativo do interruptor NLO de Q

Detalhes dos produtos

Cristais magnetoópticos

Substratos de cristal único

Cristais de Efeito Piezoelétrico

Isolador de Faraday

Cristais de cintilhação

Cristais a laser

Comutador Pockels Cell Q

Outros cristais únicos

Cristal de TGG

Cristal de TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristal de comutação

Série LGS Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Material NLO ativo

modulador da pilha dos pockels

interruptor da pilha q do pockel

Material ativo do interruptor NLO de Q