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Detalhes dos produtos

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Comutador Pockels Cell Q
Created with Pixso. Sistema de laser Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS

Sistema de laser Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS

Nome da marca: Crystal
MOQ: 1pc
preço: USD 20~200/pc
Tempo de entrega: 4-5 semanas
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Detalhes da embalagem:
Caixa limpa transparente
Habilidade da fonte:
5000 PCS POR MÊS
Destacar:

modulador magnetoóptico

,

interruptor da pilha q do pockel

,

Interruptor Piezocrystal de LGS Q

Descrição do produto

Célula Pockels de Q-switch eletró-óptico (EO) da série LGS

 

Um novo tipo de interruptor EO Q foi concebido utilizando um cristal La3Ga5SiQ14 (LGS).Excelente coeficiente E-O, alta estabilidade de temperatura (melhor que o quartzo), o Q-switch baseia-se na consideração de que o ângulo total de rotação do plano de polarização é zero,enquanto a onda polarizada se propaga através da célula de Pockels para frente e para trás, com a rotação do plano de polarização e o efeito eletro-óptico existentes simultaneamente, portanto, é amplamente usado em componentes E-O, como modulador E-O, Q-switch, etc.

O Q-switch da série LGS (LG-EO-Q) (Pockels Cell) é um dispositivo eletro-óptico prático que pode ser utilizado em lasers de energia de saída média para substituir parcialmenteDKDPeLiNbO3Comutadores de série Q.

 

Características:

 

Q-switch baseado em LGS (célula de Pockels);

Para comprimentos de onda até 3,2 μm;

Distorção da frente de onda transmitida: < l/4;

Limite de danos: > 900 MW/cm2(@1064nm, 10ns, típico, não garantido);

A LGS disponível para sistemas de média potência, ocorre parcialmente emDKDPeLiNbO3Comutadores de série Q.

 

Propriedades principais:

 

Fórmula química La3Ga5SiQ14
Estrutura cristalina Trigonal; a=b=7.453Å,c=6.293Å
Densidade 50,75 g/cm3
Ponto de fusão 1470 °C
Intervalo de transparência 242 - 3200 nm
Índice de refração 1.89
Coeficientes eletro-ópticos G41=1,8 pm/V, G11=2,3 pm/V
Resistividade 10,7 × 1010 Ω·cm
Deliquescência - Não, não.
Coeficientes de expansão térmica α11=5,15×10-6 /K (eixo Z); α33=3,65×10-6 /K (eixo Z)
 
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Comutador Pockels Cell Q
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Sistema de laser Pockels Cell LGS Q Switch Piezocrystal LGS

Nome da marca: Crystal
MOQ: 1pc
preço: USD 20~200/pc
Detalhes da embalagem: Caixa limpa transparente
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Marca:
Crystal
Quantidade de ordem mínima:
1pc
Preço:
USD 20~200/pc
Detalhes da embalagem:
Caixa limpa transparente
Tempo de entrega:
4-5 semanas
Termos de pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Habilidade da fonte:
5000 PCS POR MÊS
Destacar:

modulador magnetoóptico

,

interruptor da pilha q do pockel

,

Interruptor Piezocrystal de LGS Q

Descrição do produto

Célula Pockels de Q-switch eletró-óptico (EO) da série LGS

 

Um novo tipo de interruptor EO Q foi concebido utilizando um cristal La3Ga5SiQ14 (LGS).Excelente coeficiente E-O, alta estabilidade de temperatura (melhor que o quartzo), o Q-switch baseia-se na consideração de que o ângulo total de rotação do plano de polarização é zero,enquanto a onda polarizada se propaga através da célula de Pockels para frente e para trás, com a rotação do plano de polarização e o efeito eletro-óptico existentes simultaneamente, portanto, é amplamente usado em componentes E-O, como modulador E-O, Q-switch, etc.

O Q-switch da série LGS (LG-EO-Q) (Pockels Cell) é um dispositivo eletro-óptico prático que pode ser utilizado em lasers de energia de saída média para substituir parcialmenteDKDPeLiNbO3Comutadores de série Q.

 

Características:

 

Q-switch baseado em LGS (célula de Pockels);

Para comprimentos de onda até 3,2 μm;

Distorção da frente de onda transmitida: < l/4;

Limite de danos: > 900 MW/cm2(@1064nm, 10ns, típico, não garantido);

A LGS disponível para sistemas de média potência, ocorre parcialmente emDKDPeLiNbO3Comutadores de série Q.

 

Propriedades principais:

 

Fórmula química La3Ga5SiQ14
Estrutura cristalina Trigonal; a=b=7.453Å,c=6.293Å
Densidade 50,75 g/cm3
Ponto de fusão 1470 °C
Intervalo de transparência 242 - 3200 nm
Índice de refração 1.89
Coeficientes eletro-ópticos G41=1,8 pm/V, G11=2,3 pm/V
Resistividade 10,7 × 1010 Ω·cm
Deliquescência - Não, não.
Coeficientes de expansão térmica α11=5,15×10-6 /K (eixo Z); α33=3,65×10-6 /K (eixo Z)