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Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Para casa Created with Pixso. produtos Created with Pixso.
Wafer LaAlO3
Created with Pixso. 6.52g/Cm3 Película fina redonda LaAlO3 Cristais de Wafer Polida de dois lados

6.52g/Cm3 Película fina redonda LaAlO3 Cristais de Wafer Polida de dois lados

Nome da marca: Crystro
Número do modelo: CR210122-01
MOQ: 1pc
preço: Negociável
Tempo de entrega: 3-4 semanas
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
SGS
Materiais:
Substratos Laalo de cristal único personalizáveis
orientação:
O número de unidades de produção é:
Precisão da reorientação:
±0.2°
Ra:
< 5A
Expansão térmica:
9.4x10-6/℃
Poluição:
lado dobro lustrado
Constantes dielétricas:
ε=21
Tipo:
Círculo, quadrado, planos
Detalhes da embalagem:
Embalagem de cartão
Habilidade da fonte:
1000pcs/mês
Destacar:

6.52 g/Cm3 Wafer LaAlO3

,

Wafer redondo LaAlO3

,

6.52 g/Cm3 cristais de LaAlO3

Descrição do produto

 

Propriedades principais:

 

Parâmetros principais
Estrutura cristalina M6 (normal) temperatura) M3 ((> 435°C)
Constante de célula unitária M6 a=5,357A c=13,22 A M3 a=3,821 A
Ponto de fusão°C) 2080 °C
Densidade 6.52 g/cm3)
Dureza 6-6.5 (mohs)
Expansão térmica 9.4x10-6/°C
Constantes dielétricas ε=21
Perda de secante ((10 GHz) 3×10- Quatro@300k, ₹0.6×10- Quatro@77k
Cor e aparência Para aquecer e as condições variam de castanho para castanho
Estabilidade química Insolúvel em ácido mineral a temperatura ambiente, solúvel emH3P.O.4 a temperaturas superiores a 150 °C
Características Para aparelhos de microondas com elétrons
Método de crescimento Método Czochralski
Tamanho Tamanho sob pedido, o maior diâmetro de 3 polegadas
F15,F20,F1′′,F2′′, F2.6′′,F3′′
Espessura 0.5 mm,1.0 mm
Poluição De forma simples ou dupla
Orientação Cristalina O número de unidades de produção é:
Precisão de redirecionamento ±0,5°
Redirecionar a borda: 2° (especial em 1°)
Ângulo de cristal Tamanho e orientação especiais disponíveis mediante pedido
Ra: ≤ 5 μm × 5 μm
Embalagem

Classe100 saco limpo,Classe1000 sacos limpos

 

 

 

Substratos Laalo de cristal único personalizáveis

 

LaAlO3 é um substrato de cristal único supercondutor a alta temperatura.É um bom material de substrato para o crescimento epitaxial de filmes finos supercondutores de alta temperatura e filmes finos magnéticos gigantesAs suas propriedades dielétricas são adequadas para aplicações de microondas e ressonância dielétrica de baixa perda.

A Anhui Crystro Crystal Materials Co., Ltd. é especializada em pesquisa e desenvolvimento de ciência e tecnologia de cristais.
O seu âmbito de actividade concentra-se principalmente na investigação e desenvolvimento de materiais cristalinos de alta tecnologia, na fabricação e nas soluções multidisciplinares.automóvel, medicina, beleza e outras indústrias.

 

 

Aplicações:

 

Dispositivos eletrónicos, catálise, células de combustível de alta temperatura, cerâmica, tratamento de águas residuais, materiais de substrato

 

Principais vantagens:

 

Pequena constante dielétrica; baixa perda dielétrica;boa correspondência de rede;pequeno coeficiente de expansão térmica;boa estabilidade química;larga lacuna de energia;grande área de superfície específica;certa atividade;boa estabilidade térmica

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Nome da marca: Crystro
Número do modelo: CR210122-01
MOQ: 1pc
preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Embalagem de cartão
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Marca:
Crystro
Certificação:
SGS
Número do modelo:
CR210122-01
Materiais:
Substratos Laalo de cristal único personalizáveis
orientação:
O número de unidades de produção é:
Precisão da reorientação:
±0.2°
Ra:
< 5A
Expansão térmica:
9.4x10-6/℃
Poluição:
lado dobro lustrado
Constantes dielétricas:
ε=21
Tipo:
Círculo, quadrado, planos
Quantidade de ordem mínima:
1pc
Preço:
Negociável
Detalhes da embalagem:
Embalagem de cartão
Tempo de entrega:
3-4 semanas
Termos de pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Habilidade da fonte:
1000pcs/mês
Destacar:

6.52 g/Cm3 Wafer LaAlO3

,

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,

6.52 g/Cm3 cristais de LaAlO3

Descrição do produto

 

Propriedades principais:

 

Parâmetros principais
Estrutura cristalina M6 (normal) temperatura) M3 ((> 435°C)
Constante de célula unitária M6 a=5,357A c=13,22 A M3 a=3,821 A
Ponto de fusão°C) 2080 °C
Densidade 6.52 g/cm3)
Dureza 6-6.5 (mohs)
Expansão térmica 9.4x10-6/°C
Constantes dielétricas ε=21
Perda de secante ((10 GHz) 3×10- Quatro@300k, ₹0.6×10- Quatro@77k
Cor e aparência Para aquecer e as condições variam de castanho para castanho
Estabilidade química Insolúvel em ácido mineral a temperatura ambiente, solúvel emH3P.O.4 a temperaturas superiores a 150 °C
Características Para aparelhos de microondas com elétrons
Método de crescimento Método Czochralski
Tamanho Tamanho sob pedido, o maior diâmetro de 3 polegadas
F15,F20,F1′′,F2′′, F2.6′′,F3′′
Espessura 0.5 mm,1.0 mm
Poluição De forma simples ou dupla
Orientação Cristalina O número de unidades de produção é:
Precisão de redirecionamento ±0,5°
Redirecionar a borda: 2° (especial em 1°)
Ângulo de cristal Tamanho e orientação especiais disponíveis mediante pedido
Ra: ≤ 5 μm × 5 μm
Embalagem

Classe100 saco limpo,Classe1000 sacos limpos

 

 

 

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LaAlO3 é um substrato de cristal único supercondutor a alta temperatura.É um bom material de substrato para o crescimento epitaxial de filmes finos supercondutores de alta temperatura e filmes finos magnéticos gigantesAs suas propriedades dielétricas são adequadas para aplicações de microondas e ressonância dielétrica de baixa perda.

A Anhui Crystro Crystal Materials Co., Ltd. é especializada em pesquisa e desenvolvimento de ciência e tecnologia de cristais.
O seu âmbito de actividade concentra-se principalmente na investigação e desenvolvimento de materiais cristalinos de alta tecnologia, na fabricação e nas soluções multidisciplinares.automóvel, medicina, beleza e outras indústrias.

 

 

Aplicações:

 

Dispositivos eletrónicos, catálise, células de combustível de alta temperatura, cerâmica, tratamento de águas residuais, materiais de substrato

 

Principais vantagens:

 

Pequena constante dielétrica; baixa perda dielétrica;boa correspondência de rede;pequeno coeficiente de expansão térmica;boa estabilidade química;larga lacuna de energia;grande área de superfície específica;certa atividade;boa estabilidade térmica