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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Produto: | Rendimento alto Gd3Al2Ga3O12 de Efficiencyht da emissão clara: Ce (GAGG: Ce) Crystal Wafer | Formular químico: | Gd3Al2Ga3O12 |
|---|---|---|---|
| Densidade: | 6.63g/cm3 | Tolerância do tamanho: | ±0.05mm |
| Qualidade de superfície: | 10/5 | Abertura clara: | >90% |
| Charmfer: | <0> | Aplicação: | ANIMAL DE ESTIMAÇÃO, SPECT, CT. |
| Realçar: | Cristais de Scintilation do Ce de GAGG,Cristais de Scintilation do Ce Gd3Al2Ga3O12,Ce alto da emissão clara GAGG |
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Rendimento alto Gd3Al2Ga3O12 de Efficiencyht da emissão clara: Ce (GAGG: Ce) Crystal Wafer
GAGG (Ce) (Ce: GAGG, Gd3Al2Ga3O12) são scintillator novo para a única detecção do elétron do tomografia computorizada (SPECT), do raio gama e de Compton da emissão do fotão. GAGG lubrificados cério têm muitas propriedades que fazem apropriado para aplicações da espectroscopia da gama e da imagem latente médica. Um pico alto ao redor 520 nanômetro do rendimento e da emissão do fotão faz o material bem - seriu para ser readout por detectores do Foto-multiplicador do silicone.
Alto densidade
Rendimento claro alto
Tempo de deterioração rápido
Quimicamente inerte
Sensibilidade alta
Definição de alta energia
Vantagens principais:
Aplicações principais:
Propriedades principais:
| Fórmula química | ₂ do ₁ do ₃ O do ₂ GA do Al do ₃ de Gd |
| Número atômico (eficaz) | 54,4 |
| Método do crescimento | Czochralski |
| Densidade | 6.63g/cm3 |
| Dureza de Mohs | 8 |
| Ponto de derretimento | 1850℃ |
| Coeficientes da expansão térmica. | TBA x ⁶ de 10 ‾ |
Especificações:
| Chanfradura | <0> |
| Tolerância da orientação | < 0=""> |
| Tolerância da espessura/diâmetro | ±0.05 milímetro |
| Abertura clara | >90% |
| Distorção do Wavefront | diâmetro 70mm |
| Qualidade de superfície | 10/5 (risco/escavação) |
| Paralelo | 10 ″ |
| Perpendicular | 5 ′ |
Pessoa de Contato: Ms. Wu
Telefone: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
